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Polar TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
IXFK 180N15P
IXFX 180N15P
V DSS = 150 V
I D25 = 180 A
R DS(on) ≤ 11 m ?
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
150
150
V
V
V DS
V GSM
I D25
I D(RMS)
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 20
± 30
180
75
380
V
V
A
A
A
TO-264 (IXFK)
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
60
100
A
mJ
G
D
S
TAB
E AS
T C = 25 ° C
4
J
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
10
830
-55 ... +175
175
-55 ... +150
V/ns
W
° C
° C
° C
PLUS247 (IXFX)
TAB
T L
T SOLD
M d
F c
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting torque (IXFK)
Mounting Force (IXFX)
TO-264 (IXFK)
PLUS247 (IXFX)
300 ° C
260 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
20..120/4.5..25 N/lb
10 g
6 g
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Features
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 mA
150
2.5
5.0
V
V
l
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 200
nA
Easy to mount
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
25
250
μ A
μ A
Advantages
l
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 1
11
m ?
l
l
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99218E(01/06)
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